Chin. J. Semicond. > Volume 10 > Issue 10 > Article Number: 754

轻掺杂漏(LDD)MOSFET的数值模拟

郑庆平 , 章倩苓 and 阮刚

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Abstract: 轻掺杂漏(LDD)MOSFET是一种已用在VLSI中的新型MOSFET结构.为了有效地进行LDD MOSFEI的优化设计,我们在二维数值模拟器MINIMOS的基础上,修改了边界条件及输入输出格式,考虑了轻掺杂区的杂质分布,研制成功了一种既适用于常规以MOSFET,又适用于LDD MOSFET的二维数值模拟程序FD-MINIMOS.应用该程序对LDD MOSFET的一系列直流特性模拟的结果表明,不同的轻掺杂浓度对于抑制沟道电场及热电子效应具有不同的效果,为轻掺杂区优化设计提供了重要信息.

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Manuscript received: 19 August 2015 Manuscript revised: Online: Published: 01 October 1989

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