Chin. J. Semicond. > Volume 18 > Issue 2 > Article Number: 140

C~+注入硅形成β-SiC埋层研究

陈长清 , 杨立新 , 严金龙 and 陈学良

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Abstract: 在200℃和680℃下对P型(100)单晶硅进行不同剂量的C+注入,实验表明680℃下注入形成的β-SiC埋层存在<100>取向生长的结晶态,经过1160℃氮气氛4小时或8小时退火后,结晶度得到进一步增强;200℃下注入形成的β-SiC埋层为无定形态,即使经过1160℃氮气氛4小时或8小时退火之后仍没有发现结晶态衍射峰存在.研究同时揭示了不同C+注入剂量对所形成β-SiC埋层结晶程度的影响,以及不同退火工艺对于样品制备的影响.通过AES成分深度测试及剖面透射电子显微镜(XTEM)可以直观分析β-SiC埋层的内在结构.

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Manuscript received: 19 August 2015 Manuscript revised: Online: Published: 01 February 1997

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