Chin. J. Semicond. > 2005, Volume 26 > Issue 1 > 67-71
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硅腐蚀停止技术制备超薄硅膜中的分形现象

杨道虹, 徐晨, 董典红, 张剑铭, 阳启明, 金文贤 and 沈光地

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Abstract: 利用浓硼扩散腐蚀停止技术制备自由悬空硅薄膜时，在薄膜的表面观察到了呈分形生长的反应生成络合物聚集结构．研究表明,薄膜表面的生成物的分形属于典型的有限扩散集团凝聚模型，其分形维数值约为1.667．实验还发现，反应生成络合物的聚集结构以及能否产生聚集都受腐蚀腔体的深宽比影响．

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    Received: 19 August 2015 Revised: Online: Published: 01 January 2005

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      杨道虹, 徐晨, 董典红, 张剑铭, 阳启明, 金文贤, 沈光地. 硅腐蚀停止技术制备超薄硅膜中的分形现象[J]. Journal of Semiconductors, 2005, 26(1): 67-71. ****杨道虹, 徐晨, 董典红, 张剑铭, 阳启明, 金文贤, 沈光地. 2005: 硅腐蚀停止技术制备超薄硅膜中的分形现象. Journal of Semiconductors, 26(1): 67-71.
      Citation:
      杨道虹, 徐晨, 董典红, 张剑铭, 阳启明, 金文贤, 沈光地. 硅腐蚀停止技术制备超薄硅膜中的分形现象[J]. Journal of Semiconductors, 2005, 26(1): 67-71. ****
      杨道虹, 徐晨, 董典红, 张剑铭, 阳启明, 金文贤, 沈光地. 2005: 硅腐蚀停止技术制备超薄硅膜中的分形现象. Journal of Semiconductors, 26(1): 67-71.
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      硅腐蚀停止技术制备超薄硅膜中的分形现象

      • Received Date: 2015-08-19

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