Chin. J. Semicond. > 2005, Volume 26 > Issue 1 > 62-66
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HgCdTe钝化过程中形成的镶嵌结构及其热处理效应

孙涛, 王庆学, 陈文桥, 梁晋穗, 陈兴国, 胡晓宁 and 李言谨

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Abstract: 通过高分辨X射线衍射仪中的二维点阵研究了溅射的CdTe介质膜对HgCdTe外延层的影响．发现在高溅射能量下沉积的钝化膜由于应力的作用，HgCdTe晶片出现弯曲及大量镶嵌结构，而这种镶嵌结构可通过合理的热处理工艺消除．

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    Received: 19 August 2015 Revised: Online: Published: 01 January 2005

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      Article Navigation >  Journal of Semiconductors  > 2005  >  26(1): 62-66
      孙涛, 王庆学, 陈文桥, 梁晋穗, 陈兴国, 胡晓宁, 李言谨. HgCdTe钝化过程中形成的镶嵌结构及其热处理效应[J]. Journal of Semiconductors, 2005, 26(1): 62-66. ****孙涛, 王庆学, 陈文桥, 梁晋穗, 陈兴国, 胡晓宁, 李言谨. 2005: HgCdTe钝化过程中形成的镶嵌结构及其热处理效应. Journal of Semiconductors, 26(1): 62-66.
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      孙涛, 王庆学, 陈文桥, 梁晋穗, 陈兴国, 胡晓宁, 李言谨. HgCdTe钝化过程中形成的镶嵌结构及其热处理效应[J]. Journal of Semiconductors, 2005, 26(1): 62-66. ****
      孙涛, 王庆学, 陈文桥, 梁晋穗, 陈兴国, 胡晓宁, 李言谨. 2005: HgCdTe钝化过程中形成的镶嵌结构及其热处理效应. Journal of Semiconductors, 26(1): 62-66.
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      HgCdTe钝化过程中形成的镶嵌结构及其热处理效应

      • Received Date: 2015-08-19

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