Chin. J. Semicond. > 2003, Volume 24 > Issue 8 > 813-816
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应用ICP-AES表征高剂量氧注入过程中的金属污染

马芙蓉 , 李雪春 , 梁宏 , 吴虎才 , 李晓民 , 陈如意 , 罗晏 and 卢志恒

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Key words: SOI材料, 金属污染, 感应耦合等离子体技术

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    Received: 20 August 2015 Revised: Online: Published: 01 August 2003

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      Article Navigation >  Journal of Semiconductors  > 2003  >  24(8): 813-816
      马芙蓉, 李雪春, 梁宏, 吴虎才, 李晓民, 陈如意, 罗晏, 卢志恒. 应用ICP-AES表征高剂量氧注入过程中的金属污染[J]. 半导体学报(英文版), 2003, 24(8): 813-816.
      Citation:
      马芙蓉, 李雪春, 梁宏, 吴虎才, 李晓民, 陈如意, 罗晏, 卢志恒. 应用ICP-AES表征高剂量氧注入过程中的金属污染[J]. 半导体学报(英文版), 2003, 24(8): 813-816.
      shu

      • Received Date: 2015-08-20

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