超高速激光驱动器电路设计与研制

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黄颋, 王志功, 李连鸣. 超高速激光驱动器电路设计与研制[J]. Journal of Semiconductors, 2005, 26(3): 576-579. ****超高速激光驱动器电路设计与研制[J]. Chin. J. Semicond., 2005, 26(3): 576.

Citation:

黄颋, 王志功, 李连鸣. 超高速激光驱动器电路设计与研制[J]. Journal of Semiconductors, 2005, 26(3): 576-579. ****

超高速激光驱动器电路设计与研制[J]. Chin. J. Semicond., 2005, 26(3): 576.

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黄颋, 王志功, 李连鸣. 超高速激光驱动器电路设计与研制[J]. Journal of Semiconductors, 2005, 26(3): 576-579. ****

超高速激光驱动器电路设计与研制[J]. Chin. J. Semicond., 2005, 26(3): 576.

Abstract

Abstract

分别利用0.35μm CMOS工艺和0.2μm GaAs PHEMT（pseudomorphic high electron mobility transistor）工艺实现了激光驱动器集成电路，其工作速率分别为2.5Gb/s和10Gb/s，可应用于光纤通信SDH（synchronous digital hierarchy）传输系统．

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