Chin. J. Semicond. > 2000, Volume 21 > Issue 2 > 188-191
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半绝缘InP的优化生长条件以及掩埋的1.55μm激光器

许国阳 , 颜学进 , 朱洪亮 , 段俐宏 , 周帆 , 田慧良 , 白云霞 and 王圩

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Key words: 激光器, InP, 优化生长

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    Received: 20 August 2015 Revised: Online: Published: 01 February 2000

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      许国阳, 颜学进, 朱洪亮, 段俐宏, 周帆, 田慧良, 白云霞, 王圩. 半绝缘InP的优化生长条件以及掩埋的1.55μm激光器[J]. 半导体学报(英文版), 2000, 21(2): 188-191.
      Citation:
      许国阳, 颜学进, 朱洪亮, 段俐宏, 周帆, 田慧良, 白云霞, 王圩. 半绝缘InP的优化生长条件以及掩埋的1.55μm激光器[J]. 半导体学报(英文版), 2000, 21(2): 188-191.
      shu

      • Received Date: 2015-08-20

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