Chin. J. Semicond. > 2001, Volume 22 > Issue 2 > 182-186
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利用高频PlasmaCVD在蓝宝石衬底上生长立方GaN缓冲层及其光学性

修向前 , 野崎真次 , 岛袋淳一 , 池上隆兴 , 王大志 and 汤洪高

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Key words: 立方GaN, 高频等离子体化学气相沉积, X射线光电子谱

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    Received: 19 August 2015 Revised: Online: Published: 01 February 2001

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      修向前, 野崎真次, 岛袋淳一, 池上隆兴, 王大志, 汤洪高. 利用高频PlasmaCVD在蓝宝石衬底上生长立方GaN缓冲层及其光学性[J]. 半导体学报(英文版), 2001, 22(2): 182-186.
      Citation:
      修向前, 野崎真次, 岛袋淳一, 池上隆兴, 王大志, 汤洪高. 利用高频PlasmaCVD在蓝宝石衬底上生长立方GaN缓冲层及其光学性[J]. 半导体学报(英文版), 2001, 22(2): 182-186.
      shu

      • Received Date: 2015-08-19

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