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Volume 22, Issue 2, Feb 2001
Table of Content
CONTENTS
InGaAs/GaAs多量子阱SEED面阵结构特性与设计(英文)
邓晖, 陈弘达, 梁琨, 杜云, 唐君, 黄永箴, 潘钟, 马晓宇, 吴荣汉, 王启明
Chin. J. Semicond.  2001, 22(2): 113-116
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等边三角形、正方形和平行四边形微光学谐振腔品质因子的比较(英文)
黄永箴, 国伟华
Chin. J. Semicond.  2001, 22(2): 117-120
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抑制 SOIp- MOSFET中短沟道效应的 GeSi源 /漏结构(英文)
黄如, 卜伟海, 王阳元
Chin. J. Semicond.  2001, 22(2): 121-125
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GSGSMBE生长 1.84μm波长 InGaAs/InGaAsP应变量子阱激光器(英文)
柏劲松, 方祖捷, 张云妹, 陈高庭, 李爱珍, 陈建新
Chin. J. Semicond.  2001, 22(2): 126-129
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用新型可交联极化聚合物材料制备的脊波导有机电光调制器(英文)
杨晓红, 杜云, 殷爱民, 石志文, 吴荣汉
Chin. J. Semicond.  2001, 22(2): 130-133
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高性能70nm CMOS器件(英文)
徐秋霞, 钱鹤, 殷华湘, 贾林, 季红浩, 陈宝钦, 朱亚江, 刘明
Chin. J. Semicond.  2001, 22(2): 134-139
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直接键合硅片界面键合能的理论分析
韩伟华, 余金中, 王启明
Chin. J. Semicond.  2001, 22(2): 140-144
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分子束外延生长Al掺杂n型ZnS_(1-x)Tex的类DX中心
卢励吾, 张砚华, K K Mak, Z H Ma, J Wang, I K Sou, Wei kun Ge
Chin. J. Semicond.  2001, 22(2): 145-150
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聚焦离子束刻蚀性能的研究
谢进, 江素华, 王家楫, 唐雷钧, 宗祥福
Chin. J. Semicond.  2001, 22(2): 151-155
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薄栅氧化层相关击穿电荷
刘红侠, 郝跃
Chin. J. Semicond.  2001, 22(2): 156-160
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在SiO_2中掺Al对Au/纳米(SiO_2/Si/SiO_2)/p-Si结构电致发光的影响
王孙涛, 陈源, 张伯蕊, 乔永萍, 秦国刚, 马振昌, 宗婉华
Chin. J. Semicond.  2001, 22(2): 161-165
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MOCVD生长的InGaN合金的性质
闫华, 卢励吾, 王占国
Chin. J. Semicond.  2001, 22(2): 166-170
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ZnTeCu薄膜的制备及其性能
郑家贵, 张静全, 蔡伟, 黎兵, 蔡亚平, 冯良桓
Chin. J. Semicond.  2001, 22(2): 171-176
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Cd_(1-x)Zn_xTe晶片中Zn组分的室温显微光致发光平面扫描表征
李志锋, 陆卫, 蔡炜颖, 黄根生, 杨建荣, 何力, 沈学础
Chin. J. Semicond.  2001, 22(2): 177-181
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利用高频PlasmaCVD在蓝宝石衬底上生长立方GaN缓冲层及其光学性
修向前, 野崎真次, 岛袋淳一, 池上隆兴, 王大志, 汤洪高
Chin. J. Semicond.  2001, 22(2): 182-186
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溅射参数对Ge_2Sb_2Te_5薄膜光学常数的影响
谢泉, 侯立松, 阮昊, 干福熹, 李晶
Chin. J. Semicond.  2001, 22(2): 187-192
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电化学沉积非晶NiO_xH_y膜的电致变色特性及其机理
冯博学, 谢亮, 蔡兴民, 蒋生蕊, 甘润今
Chin. J. Semicond.  2001, 22(2): 193-197
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真空蒸镀双层有机电致发光器件及其稳定性
赵俊卿, 解士杰, 韩圣浩, 杨志伟, 叶丽娜, 杨田林
Chin. J. Semicond.  2001, 22(2): 198-202
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Au/PZT/BIT/p-Si结构铁电存储二极管I-V特性
于军, 王华, 2 董晓敏, 周文利, 王耘波, 郑远开, 赵建洪
Chin. J. Semicond.  2001, 22(2): 203-207
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一种新的求解ULSI双介质互连电容的模拟电荷法
朱兆旻, 肖夏, 阮刚, 宋任儒, 刘勇
Chin. J. Semicond.  2001, 22(2): 208-213
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一类时序逻辑电路的逻辑参数提取激励波形自动生成
陈水珑, 贺祥庆
Chin. J. Semicond.  2001, 22(2): 214-219
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风冷热电空调器的研制
张华俊, 董晓俊, 陶文铨, 冯倩莹, 邹挺
Chin. J. Semicond.  2001, 22(2): 220-223
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蓝光聚合物单层薄膜发光器件的退化机理
闫金良, 朱长纯
Chin. J. Semicond.  2001, 22(2): 224-227
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利用FN电流估计薄栅MOS结构栅氧化层的势垒转变区的宽度
毛凌锋, 谭长华, 许铭真
Chin. J. Semicond.  2001, 22(2): 228-233
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槽栅NMOSFET结构与性能仿真
任红霞, 郝跃, 许冬岗
Chin. J. Semicond.  2001, 22(2): 234-240
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带有发射极边减薄结构的异质结双极晶体管直流电流增益的计算
刘晓伟, 张荣, 吴德馨
Chin. J. Semicond.  2001, 22(2): 241-246
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高功率密度自对准结构AlGaAs/GaAs异质结双极晶体管
严北平, 张鹤鸣, 戴显英
Chin. J. Semicond.  2001, 22(2): 247-250
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