Chin. J. Semicond. > 2005, Volume 26 > Issue 1 > 92-95
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高功率附加效率的InGaP/GaAs功率HBT

郑丽萍, 袁志鹏, 樊宇伟, 孙海锋, 狄浩成, 王素琴, 刘新宇 and 吴德馨

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Abstract: 采用发射极基极金属自对准工艺，成功研制出了InGaP/GaAs功率HBT．发射极尺寸为(3μm×15μm)×16的功率器件的截止频率和最高振荡频率分别为55GHz和35GHz．在片load-pull测试表明：当工作频率为1GHz时，器件工作在AB类，该功率管最大输出功率为23.5dBm，最大功率附加效率达60%，P1dB的输出功率为21dBm，对应增益为16dB，工作电压为3.5V．

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    Received: 19 August 2015 Revised: Online: Published: 01 January 2005

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      郑丽萍, 袁志鹏, 樊宇伟, 孙海锋, 狄浩成, 王素琴, 刘新宇, 吴德馨. 高功率附加效率的InGaP/GaAs功率HBT[J]. Journal of Semiconductors, 2005, 26(1): 92-95. ****郑丽萍, 袁志鹏, 樊宇伟, 孙海锋, 狄浩成, 王素琴, 刘新宇, 吴德馨, 高功率附加效率的InGaP/GaAs功率HBT[J]. Journal of Semiconductors, 2005, 26(1), 92-95
      Citation:
      郑丽萍, 袁志鹏, 樊宇伟, 孙海锋, 狄浩成, 王素琴, 刘新宇, 吴德馨. 高功率附加效率的InGaP/GaAs功率HBT[J]. Journal of Semiconductors, 2005, 26(1): 92-95. ****
      郑丽萍, 袁志鹏, 樊宇伟, 孙海锋, 狄浩成, 王素琴, 刘新宇, 吴德馨, 高功率附加效率的InGaP/GaAs功率HBT[J]. Journal of Semiconductors, 2005, 26(1), 92-95
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      高功率附加效率的InGaP/GaAs功率HBT

      • Received Date: 2015-08-19

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