Chin. J. Semicond. > 2001, Volume 22 > Issue 5 > 543-547
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采用TEOS和H_2O源PECVD方法生长氧化硅厚膜(英文)

雷红兵 , 王红杰 , 邓晓清 , 杨沁清 , 胡雄伟 , 王启明 , 廖左升 and 杨基南

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Key words: 二氧化硅, PECVD, 平面波导

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    Received: 20 August 2015 Revised: Online: Published: 01 May 2001

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      雷红兵, 王红杰, 邓晓清, 杨沁清, 胡雄伟, 王启明, 廖左升, 杨基南. 采用TEOS和H_2O源PECVD方法生长氧化硅厚膜(英文)[J]. 半导体学报(英文版), 2001, 22(5): 543-547.
      Citation:
      雷红兵, 王红杰, 邓晓清, 杨沁清, 胡雄伟, 王启明, 廖左升, 杨基南. 采用TEOS和H_2O源PECVD方法生长氧化硅厚膜(英文)[J]. 半导体学报(英文版), 2001, 22(5): 543-547.
      shu

      • Received Date: 2015-08-20

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