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Volume 22, Issue 5, May 2001
Table of Content
CONTENTS
Quantum Well Infrared Photodetectors:the Basic Design and New Research Directions
H, C, Liu
Chin. J. Semicond.  2001, 22(5): 529-537
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带门极双层Si-δ-掺杂GaAs中的奇特非线性耗尽(英文)
卢铁城, 林理彬, M LEVIN, V GINODMAN, I SHLIMAK
Chin. J. Semicond.  2001, 22(5): 538-542
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采用TEOS和H_2O源PECVD方法生长氧化硅厚膜(英文)
雷红兵, 王红杰, 邓晓清, 杨沁清, 胡雄伟, 王启明, 廖左升, 杨基南
Chin. J. Semicond.  2001, 22(5): 543-547
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一种用于功率模块热分布特性研究的精确模型(英文)
耿莉, 陈治明, R Kruemmer, T Reimann, J Petzoldt
Chin. J. Semicond.  2001, 22(5): 548-553
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槽栅MOS控制的晶闸管(英文)
张鹤鸣, 戴显英, 张义门, 林大松
Chin. J. Semicond.  2001, 22(5): 554-557
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一种用采用边界元方法的芯片级热分布分析算法(英文)
崔铭栋, 赵文庆, 唐璞山
Chin. J. Semicond.  2001, 22(5): 558-564
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新型亚50纳米硅栅制作技术(英文)
张盛东, 韩汝琦, 刘晓彦, 关旭东, 李婷, 张大成
Chin. J. Semicond.  2001, 22(5): 565-568
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InGaN光致发光性质与温度的关系
樊志军, 刘祥林, 万寿科, 王占国
Chin. J. Semicond.  2001, 22(5): 569-572
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刻划的富硅二氧化硅/p-Si结构的光致发光和电致发光
孙永科, 崔晓明, 张伯蕊, 秦国刚, 马振昌, 宗婉华
Chin. J. Semicond.  2001, 22(5): 573-579
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微重力条件下开口矩形容器的小Pr热毛细对流
朱丽红, 刘秋生, 胡文瑞
Chin. J. Semicond.  2001, 22(5): 580-586
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等离子体化学气相沉积非晶SiO_x∶H(0≤x≤2.0)薄膜的红外光谱
何乐年
Chin. J. Semicond.  2001, 22(5): 587-593
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高阻CdZnTe晶体的退火处理
李道强, 桑文斌, 钱永彪, 史伟民, 李冬梅, 李万万, 闵嘉华, 刘冬华
Chin. J. Semicond.  2001, 22(5): 594-598
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低碳含量a-Si_(1-x)C_x∶H薄膜的化学键结构
王燕, 岳瑞峰, 韩和相, 廖显伯, 王永谦, 刁宏伟, 孔光临
Chin. J. Semicond.  2001, 22(5): 599-603
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MOCVD生长的InGaN薄膜的离子束背散射沟道及其光致发光
李述体, 江风益, 彭学新, 王立, 熊传兵, 李鹏, 莫春兰
Chin. J. Semicond.  2001, 22(5): 604-608
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选择区域生长高质量InGaAsP多量子阱材料
刘国利, 王圩, 张佰君, 许国阳, 陈娓兮, 叶小玲, 张静媛, 汪孝杰, 朱洪亮
Chin. J. Semicond.  2001, 22(5): 609-612
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碲镉汞的液相外延生长
黄仕华, 何景福, 陈建才, 雷春红
Chin. J. Semicond.  2001, 22(5): 613-617
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注F短沟MOSFET的沟道热载流子效应
韩德栋, 张国强, 余学峰, 任迪远
Chin. J. Semicond.  2001, 22(5): 618-621
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凹槽深度与槽栅PMOSFET特性
任红霞, 郝跃
Chin. J. Semicond.  2001, 22(5): 622-628
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施主型界面态引起槽栅PMOSFET性能退化的特征
任红霞, 郝跃
Chin. J. Semicond.  2001, 22(5): 629-635
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低波长漂移的电吸收调制DFB激光器
刘国利, 王圩, 汪孝杰, 张佰君, 陈娓兮, 张静媛, 朱洪亮
Chin. J. Semicond.  2001, 22(5): 636-640
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Au/PZT/p-Si结构铁电存储二极管的制备及其性能
王华, 于军, 董晓敏, 周文利, 王耘波, 谢基凡
Chin. J. Semicond.  2001, 22(5): 641-645
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精确预计SiBJT微波功率器件峰值结温的方法
张鸿欣
Chin. J. Semicond.  2001, 22(5): 646-651
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基于半导体光放大器临界激射状态的同相波长转换
张新亮, 孙军强, 刘德明, 易河清, 黄德修
Chin. J. Semicond.  2001, 22(5): 652-655
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栅氧化方式对N沟输入CMOS运算放大器电离辐射效应的影响
陆妩, 郭旗, 任迪远, 余学锋, 张国强, 严荣良, 王明刚, 胡浴红, 赵文魁
Chin. J. Semicond.  2001, 22(5): 656-659
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0.5μm SOI CMOS器件和电路
刘新宇, 孙海峰, 海朝和, 吴德馨
Chin. J. Semicond.  2001, 22(5): 660-663
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采用遗传算法的一种可重构ANN的电路设计
卢纯, 石秉学
Chin. J. Semicond.  2001, 22(5): 664-669
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基于望远镜搜索的块匹配运动估值的低功耗VLSI结构
张武健, 邱晓海, 周润德, 陈弘毅, Kondo Toshio, Nakashima Takayoshi, Ishitani Tsunehachi
Chin. J. Semicond.  2001, 22(5): 670-676
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