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周鹏, 王立, 方文卿, 蒲勇, 戴江南, 江风益. 常压MOCVD生长的ZnO薄膜的电学性能[J]. Journal of Semiconductors, 2005, 26(3): 502-507.
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常压MOCVD生长的ZnO薄膜的电学性能[J]. Chin. J. Semicond., 2005, 26(3): 502.
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常压MOCVD生长的ZnO薄膜的电学性能
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Abstract
利用常压MOCVD法在蓝宝石(0001)衬底上沉积了非故意掺杂ZnO单晶薄膜.用Van der Pauw法测量了其从15K到室温的载流子浓度和霍耳迁移率,并用双层结构单施主模型对载流子浓度和迁移率进行了拟合分析.研究表明:ZnO薄膜浅施主能级为20.4meV,温度较低时,以电离杂质散射为主,温度较高时,以极性光学波散射为主. -
References
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