Chin. J. Semicond. > 1998, Volume 19 > Issue 12 > 896-902
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GSMBE生长掺杂Si及GeSi/Si合金及其电学性质研究

刘学锋 , 刘金平 , 李建平 , 李灵霄 , 孙殿照 , 孔梅影 and 林兰英

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    Received: 18 August 2015 Revised: Online: Published: 01 December 1998

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      刘学锋, 刘金平, 李建平, 李灵霄, 孙殿照, 孔梅影, 林兰英. GSMBE生长掺杂Si及GeSi/Si合金及其电学性质研究[J]. 半导体学报(英文版), 1998, 19(12): 896-902.
      Citation:
      刘学锋, 刘金平, 李建平, 李灵霄, 孙殿照, 孔梅影, 林兰英. GSMBE生长掺杂Si及GeSi/Si合金及其电学性质研究[J]. 半导体学报(英文版), 1998, 19(12): 896-902.
      shu

      • Received Date: 2015-08-18

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