Abstract:

扫描电子束曝光是微细图形加工中的一项核心技术。它既是远紫外、X-射线、投影电子束光刻制备微米、亚微米精细掩模的主要手段，也是在硅片上直接加工微细图形的重要光刻技术之一，并且具有高分辨率、高精度和自动化等优点。但是电子束光刻过程，一直延用类似常规紫外光光刻中普遍采用的湿法显影工艺。湿法显影，存在着固有的弊病。由于显影液对光刻胶的溶胀作用，胶膜图形容易畸变，并引起皱胶、浮胶等现象。从而使分辨率下降，抗蚀性减弱，针孔增多。同时显影的控制要求严格，稍有偏离，就会影响图形精度和质量，严重时还可能造成以后的刻蚀无法正常进行，这就大大限制了电子束光刻技术优良性能的发挥。