本文的目的是用赝势法研究In1-xGaxAsyP1-y的能隙与x和y的函数关系以及它的能带结构。四元合金的赝势参量以二元化合物的赝势参量为边界值由非线性内插公式决定。为了使所得能隙与实验值符合得更好，我们所用的二元化合物的经验的赝势参量与Cohen和Bergstresser所给的值稍有修正。四元合金的晶格常数由线性内插决定。这样所得的计算结果与实验值符合较好。
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Volume 1, Issue 4,
Apr 1980
Chin. J. Semicond.
1980, 1(4): 311-317
本文研究了激光退火使离子注Zn的GaAs层获得高的表面浓度作P+层。所用的调Q红宝石激光器能量密度1～1.5 J/cm2、脉宽20 ns。霍尔测量得到的表面空穴浓度达3.3 × 1019-8.7 ×1020 cm-3，红外等离子共振极小测量结果与之相符。电子衍射实验观察到注入无定形层经激光退火后再结晶的单晶衍射花样。另外，也报道了用激光合金化在N型和P型体GaAs材料上制备欧姆接触的结果，所得到的比接触电阻比通常热合金化的比接触电阻略低,其表面形貌也比热合金化的好。
Chin. J. Semicond.
1980, 1(4): 335-336
扫描电子束曝光是微细图形加工中的一项核心技术。它既是远紫外、X-射线、投影电子束光刻制备微米、亚微米精细掩模的主要手段，也是在硅片上直接加工微细图形的重要光刻技术之一，并且具有高分辨率、高精度和自动化等优点。但是电子束光刻过程，一直延用类似常规紫外光光刻中普遍采用的湿法显影工艺。湿法显影，存在着固有的弊病。由于显影液对光刻胶的溶胀作用，胶膜图形容易畸变，并引起皱胶、浮胶等现象。从而使分辨率下降，抗蚀性减弱，针孔增多。同时显影的控制要求严格，稍有偏离，就会影响图形精度和质量，严重时还可能造成以后的刻蚀无法正常进行，这就大大限制了电子束光刻技术优良性能的发挥。
