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Volume 2, Issue 1, Jan 1981
CONTENTS
极性晶体中激子的性质
梁希侠, 顾世洧
Chin. J. Semicond.  1981, 2(1): 1-6
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掺Te-GaAs单晶微缺陷微沉淀的研究
何宏家, 曹福年, 范缇文, 白玉珂, 费雪英, 王凤莲
Chin. J. Semicond.  1981, 2(1): 7-13
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InSb质子轰击损伤的隔离效应
赵文琴
Chin. J. Semicond.  1981, 2(1): 14-21
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光敏三极管时间参数的瞬态分析
何民才, 赵小敏
Chin. J. Semicond.  1981, 2(1): 22-28
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雪崩光电二极管体内漏电流的测量分析
石仲斌
Chin. J. Semicond.  1981, 2(1): 29-35
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IMPATT雪崩二极管大信号理论分析
杨玉芬
Chin. J. Semicond.  1981, 2(1): 36-44
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具有PTF>1及均匀载流子漂移速度的硅雪崩二极管的理论分析
唐惟琅
Chin. J. Semicond.  1981, 2(1): 45-54
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一种快速多用途TD-TTL弛豫振荡器
邓兆扬
Chin. J. Semicond.  1981, 2(1): 55-64
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MIS多晶硅太阳能电池的AES和ESCA分析
李炳胜, 王佑祥, 余海仁, 许振嘉
Chin. J. Semicond.  1981, 2(1): 65-70
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硅中金杂质分布的测量
周洁, 王杏华, 李树英
Chin. J. Semicond.  1981, 2(1): 71-73
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四探针测圆形薄片电阻率的计算公式
陈学全, 包德修
Chin. J. Semicond.  1981, 2(1): 74-77
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SiCl_4/SiH_4-NH_3体系的低压化学蒸汽淀积(LPCVD)氮化硅薄膜研究
王季陶, 承焕生, 吴宪平, 吕以金
Chin. J. Semicond.  1981, 2(1): 78-80
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第一届全国“三束”学术年会简讯
刘宗德
Chin. J. Semicond.  1981, 2(1): 81-81
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全国半导体计算机辅助设计和模拟学术会议
Chin. J. Semicond.  1981, 2(1): 82-82
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第一届全国半导体表面、界面物理学术会议简讯
马国风, 邢步高
Chin. J. Semicond.  1981, 2(1): 83-83
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