Chin. J. Semicond. > 1980, Volume 1 > Issue 4 > 311-317

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注Zn+-GaAs的激光退火及GaAs欧姆接触的激光合金化

弓继书 , 郑宝真 , 庄蔚华 and 徐仲英

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Abstract:

本文研究了激光退火使离子注Zn的GaAs层获得高的表面浓度作P+层。所用的调Q红宝石激光器能量密度1~1.5 J/cm2、脉宽20 ns。霍尔测量得到的表面空穴浓度达3.3 × 1019-8.7 ×1020 cm-3,红外等离子共振极小测量结果与之相符。电子衍射实验观察到注入无定形层经激光退火后再结晶的单晶衍射花样。另外,也报道了用激光合金化在N型和P型体GaAs材料上制备欧姆接触的结果,所得到的比接触电阻比通常热合金化的比接触电阻略低,其表面形貌也比热合金化的好。

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    Received: 20 August 2015 Revised: Online: Published: 01 April 1980

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      弓继书, 郑宝真, 庄蔚华, 徐仲英. 注Zn+-GaAs的激光退火及GaAs欧姆接触的激光合金化[J]. 半导体学报(英文版), 1980, 1(4): 311-317.
      Citation:
      弓继书, 郑宝真, 庄蔚华, 徐仲英. 注Zn+-GaAs的激光退火及GaAs欧姆接触的激光合金化[J]. 半导体学报(英文版), 1980, 1(4): 311-317.

      • Received Date: 2015-08-20

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