Chin. J. Semicond. > 2005, Volume 26 > Issue 5 > 1024-1027
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850nm氧化物限制型VCSEL的温度特性

张永明 , 钟景昌 , 赵英杰 , 郝永芹 , 李林 , 王玉霞 and 苏伟

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Key words: 垂直腔面发射激光器, 氧化物限制, 温度特性

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    Received: 19 August 2015 Revised: Online: Published: 01 May 2005

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      Article Navigation >  Journal of Semiconductors  > 2005  >  26(5): 1024-1027
      张永明, 钟景昌, 赵英杰, 郝永芹, 李林, 王玉霞, 苏伟. 850nm氧化物限制型VCSEL的温度特性[J]. 半导体学报(英文版), 2005, 26(5): 1024-1027.
      Citation:
      张永明, 钟景昌, 赵英杰, 郝永芹, 李林, 王玉霞, 苏伟. 850nm氧化物限制型VCSEL的温度特性[J]. 半导体学报(英文版), 2005, 26(5): 1024-1027.
      shu

      • Received Date: 2015-08-19

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