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冉军学, 王晓亮, 胡国新, 王军喜, 李建平, 曾一平, 李晋闽. MOCVD生长Mg掺杂GaN的退火研究[J]. Journal of Semiconductors, 2005, 26(3): 494-497.
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MOCVD生长Mg掺杂GaN的退火研究[J]. Chin. J. Semicond., 2005, 26(3): 494.
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MOCVD生长Mg掺杂GaN的退火研究
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Abstract
用MOCVD技术在50mm蓝宝石衬底（0001）面上生长了GaN∶Mg外延膜，对样品进行热退火处理并作了Hall、双晶X射线衍射(DCXRD)和室温光致发光谱(PL)测试．Hall测试结果表明，950℃退火后空穴浓度达到5e17cm－3以上，电阻率降到2.5Ω·cm；(0002)面DCXRD测试发现样品退火前、后的半峰宽均约为4′；室温PL谱中发光峰位于2.85eV处，退火后峰的强度比退火前增强了8倍以上，表明样品中大量被H钝化的受主Mg原子在退火后被激活． -
References
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