Chin. J. Semicond. > 2005, Volume 26 > Issue 3 > 613-617
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常压射频激励低温冷等离子体刻蚀光刻胶

赵玲利, 李海江, 王守国 and 叶甜春

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Abstract: 介绍了一种新型的常压射频激励低温冷等离子体喷射装置，利用电流和电压探针研究了该等离子体的放电特性，利用热电偶研究了喷射出的等离子体束流温度，得到其放电与传统的真空室中电容耦合放电具有一致的特性．利用该等离子体装置在大气压下对AZ9918光刻胶进行了干法刻蚀实验，用电镜观察了刻蚀留胶前后硅表面的效果，研究了放电等离子体功率以及衬底温度对刻蚀速率的影响，在放电功率为300W时，得到刻蚀速率接近500nm/min．

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    Received: 19 August 2015 Revised: Online: Published: 01 March 2005

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      赵玲利, 李海江, 王守国, 叶甜春. 常压射频激励低温冷等离子体刻蚀光刻胶[J]. Journal of Semiconductors, 2005, 26(3): 613-617. ****常压射频激励低温冷等离子体刻蚀光刻胶[J]. Chin. J. Semicond., 2005, 26(3): 613.
      Citation:
      赵玲利, 李海江, 王守国, 叶甜春. 常压射频激励低温冷等离子体刻蚀光刻胶[J]. Journal of Semiconductors, 2005, 26(3): 613-617. ****
      常压射频激励低温冷等离子体刻蚀光刻胶[J]. Chin. J. Semicond., 2005, 26(3): 613.
      shu

      常压射频激励低温冷等离子体刻蚀光刻胶

      • Received Date: 2015-08-19

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