Chin. J. Semicond. > 2005, Volume 26 > Issue 1 > 111-114
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预先老化对注F nMOS器件辐射可靠性的影响

崔帅, 余学峰, 任迪远, 张华林 and 艾尔肯

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Abstract: 对注F和未注F CC4007器件在100℃高温老化后的Co60辐照特性进行了研究．研究发现辐照前的高温老化减少了注F器件在辐照中的界面态陷阱电荷的积累，但是普通器件辐照前的高温老化在减少辐照中界面态积累的同时却增加了氧化物电荷的积累，损害了器件的可靠性．可见，栅介质中F离子的引入可以明显提高器件的可靠性．

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    Received: 19 August 2015 Revised: Online: Published: 01 January 2005

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      崔帅, 余学峰, 任迪远, 张华林, 艾尔肯. 预先老化对注F nMOS器件辐射可靠性的影响[J]. Journal of Semiconductors, 2005, 26(1): 111-114. ****崔帅, 余学峰, 任迪远, 张华林, 艾尔肯, 预先老化对注F nMOS器件辐射可靠性的影响[J]. Journal of Semiconductors, 2005, 26(1), 111-114
      Citation:
      崔帅, 余学峰, 任迪远, 张华林, 艾尔肯. 预先老化对注F nMOS器件辐射可靠性的影响[J]. Journal of Semiconductors, 2005, 26(1): 111-114. ****
      崔帅, 余学峰, 任迪远, 张华林, 艾尔肯, 预先老化对注F nMOS器件辐射可靠性的影响[J]. Journal of Semiconductors, 2005, 26(1), 111-114
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      预先老化对注F nMOS器件辐射可靠性的影响

      • Received Date: 2015-08-19

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