p型GaN的掺杂研究

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金瑞琴, 朱建军, 赵德刚, 刘建平, 张纪才, 杨辉. p型GaN的掺杂研究[J]. Journal of Semiconductors, 2005, 26(3): 508-512. ****p型GaN的掺杂研究[J]. Chin. J. Semicond., 2005, 26(3): 508.

Citation:

金瑞琴, 朱建军, 赵德刚, 刘建平, 张纪才, 杨辉. p型GaN的掺杂研究[J]. Journal of Semiconductors, 2005, 26(3): 508-512. ****

p型GaN的掺杂研究[J]. Chin. J. Semicond., 2005, 26(3): 508.

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金瑞琴, 朱建军, 赵德刚, 刘建平, 张纪才, 杨辉. p型GaN的掺杂研究[J]. Journal of Semiconductors, 2005, 26(3): 508-512. ****

p型GaN的掺杂研究[J]. Chin. J. Semicond., 2005, 26(3): 508.

Abstract

Abstract

采用正交实验设计方法设计p型GaN的生长，通过较少的实验,优化了影响p型GaN性质的三个生长参数：Mg流量、生长温度和Ⅴ/Ⅲ比．过量的Mg源流量、过高的生长温度、过大的Ⅴ/Ⅲ比都会降低自由空穴浓度．还研究了退火温度对p型GaN的载流子浓度和光学性质的影响．实验结果表明，700～750℃范围为最佳退火温度．

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