Chin. J. Semicond. > 2005, Volume 26 > Issue 1 > 84-87
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深亚微米p+栅pMOSFET中NBTI效应及氮在其中的作用

韩晓亮, 郝跃 and 刘红侠

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Abstract: 研究了p+栅pMOSFET中的NBTI效应．通过实验分析了NBTI应力后器件特性及典型参数的退化，研究了氮化栅氧中氮对NBTI效应的作用，并给出了栅氧中的氮对NBTI效应影响的可能机制，即栅氧中氮形成的Si—N键不易被分解，但栅氧中的氮提供了H＋的陷阱中心，导致NBTI效应中氧化层正固定电荷的增加，其总体效果表现为氮对NBTI效应退化影响的增加．

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    Received: 19 August 2015 Revised: Online: Published: 01 January 2005

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      韩晓亮, 郝跃, 刘红侠. 深亚微米p+栅pMOSFET中NBTI效应及氮在其中的作用[J]. Journal of Semiconductors, 2005, 26(1): 84-87. ****韩晓亮, 郝跃, 刘红侠. 2005: 深亚微米p+栅pMOSFET中NBTI效应及氮在其中的作用. Journal of Semiconductors, 26(1): 84-87.
      Citation:
      韩晓亮, 郝跃, 刘红侠. 深亚微米p+栅pMOSFET中NBTI效应及氮在其中的作用[J]. Journal of Semiconductors, 2005, 26(1): 84-87. ****
      韩晓亮, 郝跃, 刘红侠. 2005: 深亚微米p+栅pMOSFET中NBTI效应及氮在其中的作用. Journal of Semiconductors, 26(1): 84-87.
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      深亚微米p+栅pMOSFET中NBTI效应及氮在其中的作用

      • Received Date: 2015-08-19

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