Chin. J. Semicond. > 2001, Volume 22 > Issue 9 > 1222-1125

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GaAs、AlAs、DBR反应离子刻蚀速率的研究

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Key words: 反应离子刻蚀, 刻蚀速率, GaAs, AlAs, DBR

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刘文楷, 林世鸣, 武术, 朱家廉, 高俊华, 渠波, 陆建祖, 廖奇为, 邓晖, 陈弘达. GaAs、AlAs、DBR反应离子刻蚀速率的研究[J]. 半导体学报(英文版), 2001, 22(9): 1222-1125.

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Received: 20 August 2015 Revised: Online: Published: 01 September 2001

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刘文楷, 林世鸣, 武术, 朱家廉, 高俊华, 渠波, 陆建祖, 廖奇为, 邓晖, 陈弘达. GaAs、AlAs、DBR反应离子刻蚀速率的研究[J]. 半导体学报(英文版), 2001, 22(9): 1222-1125.

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