Chin. J. Semicond. > 2004, Volume 25 > Issue 4 > 424-429

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Key words: 共蒸发沉积, 背接触, 碲化镉太阳电池, 插入层, 填充因子

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    Received: 19 August 2015 Revised: Online: Published: 01 April 2004

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      鄢强, 冯良桓, 武莉莉, 张静全, 郑家贵, 蔡伟, 蔡亚平, 李卫, 黎兵, 宋慧瑾, 夏庚培. 碲化锌插入层对碲化镉太阳电池性能参数影响的分析[J]. 半导体学报(英文版), 2004, 25(4): 424-429.
      Citation:
      鄢强, 冯良桓, 武莉莉, 张静全, 郑家贵, 蔡伟, 蔡亚平, 李卫, 黎兵, 宋慧瑾, 夏庚培. 碲化锌插入层对碲化镉太阳电池性能参数影响的分析[J]. 半导体学报(英文版), 2004, 25(4): 424-429.

      • Received Date: 2015-08-19

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