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Volume 25, Issue 4, Apr 2004
CONTENTS
SCDI结构快闪存储器件Ⅰ:模拟与分析(英文)
欧文, 钱鹤
Chin. J. Semicond.  2004, 25(4): 361-365
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一种低功耗的高性能四路组相联CMOS高速缓冲存储器(英文)
孙慧, 李文宏, 章倩苓
Chin. J. Semicond.  2004, 25(4): 366-371
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嵌入式开关电容DC-DC变换器的新颖控制技术(英文)
耿莉, 陈治明, 赵敏玲
Chin. J. Semicond.  2004, 25(4): 372-376
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一种新的1024点基-2 FFT旋转因子产生电路的结构(英文)
李金城, 杨华中
Chin. J. Semicond.  2004, 25(4): 377-382
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一种同时实现算子调度与数据流图划分的高层次综合算法(英文)
王磊, 魏少军
Chin. J. Semicond.  2004, 25(4): 383-387
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串扰噪声约束下的过点分配算法(英文)
姚海龙, 周强, 洪先龙, 蔡懿慈
Chin. J. Semicond.  2004, 25(4): 388-393
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As~+/N_2~+组合离子注入Si的损伤退火及杂质浓度分布
韩宇, 肖鸿飞, 高雅君, 马德录
Chin. J. Semicond.  2004, 25(4): 394-399
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光伏新材料a-CN_x薄膜的光电响应性质
刘梅苍, 周之斌, 丁正明, 崔容强
Chin. J. Semicond.  2004, 25(4): 400-403
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硅衬底上PZT薄膜的制备及其特性分析
杨莺, 陈治明, 赵高扬
Chin. J. Semicond.  2004, 25(4): 404-409
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Si(111)衬底无微裂GaN的MOCVD生长
张宝顺, 伍墨, 陈俊, 沈晓明, 冯淦, 刘建平, 史永生, 段丽宏, 朱建军, 杨辉, 梁骏吾
Chin. J. Semicond.  2004, 25(4): 410-414
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腐蚀坑处氮化镓二次MOCVD外延生长的特性
陆敏, 方慧智, 陆曙, 黎子兰, 杨华, 章蓓, 张国义
Chin. J. Semicond.  2004, 25(4): 415-418
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高剂量Ge离子注入直接形成nc-Ge的研究
曾颖秋, 卢铁城, 沈丽如, 李恒, 杨经国, 邹萍, 林理彬
Chin. J. Semicond.  2004, 25(4): 419-423
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碲化锌插入层对碲化镉太阳电池性能参数影响的分析
鄢强, 冯良桓, 武莉莉, 张静全, 郑家贵, 蔡伟, 蔡亚平, 李卫, 黎兵, 宋慧瑾, 夏庚培
Chin. J. Semicond.  2004, 25(4): 424-429
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在线检测多晶硅薄膜热导率测试结构的设计与模拟
许高斌, 黄庆安
Chin. J. Semicond.  2004, 25(4): 430-435
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HALO结构pMOSFETs在V_g=V_d/2应力模式下应力相关的热载流子退化
胡靖, 赵要, 许铭真, 谭长华
Chin. J. Semicond.  2004, 25(4): 436-440
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槽栅MOSFET's的阈值电压解析模型
张晓菊, 任红霞, 冯倩, 郝跃
Chin. J. Semicond.  2004, 25(4): 441-445
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晶向对InGaP/GaAs HBT性能的影响
石瑞英, 刘训春, 孙海峰, 袁志鹏
Chin. J. Semicond.  2004, 25(4): 446-449
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多栅GaAs MESFET开关的结构设计
陈新宇, 郝西萍, 陈继义
Chin. J. Semicond.  2004, 25(4): 450-453
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新型双异质结双平面掺杂功率PHEMT
陈震, 和致经, 魏珂, 刘新宇, 吴德馨
Chin. J. Semicond.  2004, 25(4): 454-457
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采用注入隔离制造的AlGaN/GaN HEMTs器件
肖冬萍, 刘键, 魏珂, 和致经, 王润梅, 刘新宇, 吴德馨
Chin. J. Semicond.  2004, 25(4): 458-461
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带主从式T/H电路的折叠插值A/D转换器
刘飞, 贾嵩, 卢振庭, 刘凌, 吉利久
Chin. J. Semicond.  2004, 25(4): 462-467
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非对称Y分叉全内反射型全光开关
陈克坚, 唐奕, 占恒正, 杨爱龄, 李锡华, 王明华, 江晓清
Chin. J. Semicond.  2004, 25(4): 468-471
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单向激励源在TD-BPM中的应用
周勤存, 梅维泉, 陈学文, 何赛灵
Chin. J. Semicond.  2004, 25(4): 472-476
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基于MEMS技术的全光热成像芯片与系统的研制
冯飞, 焦继伟, 熊斌, 王跃林
Chin. J. Semicond.  2004, 25(4): 477-480
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