Chin. J. Semicond. > 2005, Volume 26 > Issue 1 > 143-147
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不同钝化结构的HgCdTe光伏探测器暗电流机制

孙涛, 陈文桥, 梁晋穗, 陈兴国, 胡晓宁 and 李言谨

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Abstract: 在同一HgCdTe晶片上制备了单层ZnS钝化和双层（CdTe+ZnS）钝化的两种光伏探测器，对器件的性能进行了测试，发现双层钝化的器件具有较好的性能．通过理论计算，分析了器件的暗电流机制，发现单层钝化具有较高的表面隧道电流．通过高分辨X射线衍射中的倒易点阵技术研究了单双层钝化对HgCdTe外延层晶格完整性的影响，发现单层ZnS钝化的HgCdTe外延层产生了大量缺陷，而这些缺陷正是单层钝化器件具有较高表面隧道电流的原因．

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    Received: 19 August 2015 Revised: Online: Published: 01 January 2005

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      孙涛, 陈文桥, 梁晋穗, 陈兴国, 胡晓宁, 李言谨. 不同钝化结构的HgCdTe光伏探测器暗电流机制[J]. Journal of Semiconductors, 2005, 26(1): 143-147. ****孙涛, 陈文桥, 梁晋穗, 陈兴国, 胡晓宁, 李言谨, 不同钝化结构的HgCdTe光伏探测器暗电流机制[J]. Journal of Semiconductors, 2005, 26(1), 143-147
      Citation:
      孙涛, 陈文桥, 梁晋穗, 陈兴国, 胡晓宁, 李言谨. 不同钝化结构的HgCdTe光伏探测器暗电流机制[J]. Journal of Semiconductors, 2005, 26(1): 143-147. ****
      孙涛, 陈文桥, 梁晋穗, 陈兴国, 胡晓宁, 李言谨, 不同钝化结构的HgCdTe光伏探测器暗电流机制[J]. Journal of Semiconductors, 2005, 26(1), 143-147
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      不同钝化结构的HgCdTe光伏探测器暗电流机制

      • Received Date: 2015-08-19

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