Chin. J. Semicond. > 2005, Volume 26 > Issue 1 > 57-61
|

CONTENTS

难熔金属与n-GaAs的欧姆接触特性

刘文超, 夏冠群, 李冰寒, 黄文奎 and 刘延祥

+ Author Affiliations

PDF

Abstract: 用磁控溅射系统和快速合金化法制备了Mo/W/Ti/Au多层金属和n-GaAs材料的欧姆接触，在溅射金属层之前分别用HCl溶液和(NH4)2S溶液对n-GaAs材料的表面进行处理．用传输线法对比接触电阻进行了测试，并利用俄歇电子能谱（AES）、X射线衍射图谱（XRD）对接触的微观结构进行了分析．结果表明，用(NH4)2S溶液对n-GaAs材料表面进行处理后，比接触电阻最小；在700℃快速合金化后获得最低的比接触电阻，约为4.5×10－6Ω·cm2．这是由于(NH4)2S溶液钝化处理后降低了GaAs的表面态密度，消除了费米能级钉扎效应，从而改善了难熔金属与GaAs的接触特性．

    • Search

    Advanced Search >>

    GET CITATION

    shu

    Export: BibTex EndNote

    Article Metrics

    Article views: 2523 Times PDF downloads: 1682 Times Cited by: 0 Times

    History

    Received: 19 August 2015 Revised: Online: Published: 01 January 2005

    Catalog

      Email This Article

      User name:
      Email:*请输入正确邮箱
      Code:*验证码错误
      Send
      Article Navigation >  Journal of Semiconductors  > 2005  >  26(1): 57-61
      刘文超, 夏冠群, 李冰寒, 黄文奎, 刘延祥. 难熔金属与n-GaAs的欧姆接触特性[J]. Journal of Semiconductors, 2005, 26(1): 57-61. ****刘文超, 夏冠群, 李冰寒, 黄文奎, 刘延祥. 2005: 难熔金属与n-GaAs的欧姆接触特性. Journal of Semiconductors, 26(1): 57-61.
      Citation:
      刘文超, 夏冠群, 李冰寒, 黄文奎, 刘延祥. 难熔金属与n-GaAs的欧姆接触特性[J]. Journal of Semiconductors, 2005, 26(1): 57-61. ****
      刘文超, 夏冠群, 李冰寒, 黄文奎, 刘延祥. 2005: 难熔金属与n-GaAs的欧姆接触特性. Journal of Semiconductors, 26(1): 57-61.
      shu

      难熔金属与n-GaAs的欧姆接触特性

      • Received Date: 2015-08-19

      Catalog

        Journal of Semiconductors © 2017 All Rights Reserved   京ICP备05085259号-2

        /

        DownLoad:  Full-Size Img  PowerPoint
        Return
        Return