Chin. J. Semicond. > 2005, Volume 26 > Issue 1 > 102-105
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基于干/湿法腐蚀的自对准SiGe HBT器件

刘道广, 郝跃, 徐世六, 李开成, 李培咸, 张晓菊, 张金凤, 郑雪峰, 张静, 刘嵘侃 and 刘伦才

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Abstract: 采用干/湿法腐蚀相结合技术，利用氢氧化钾（KOH）溶液和六氟化硫(SF6)对Si及SiGe材料进行腐蚀，研究自对准Si/SiGe HBT台面器件，获得了fT＝40GHz，fmax＝127.1GHz的结果．

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    Received: 19 August 2015 Revised: Online: Published: 01 January 2005

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      刘道广, 郝跃, 徐世六, 李开成, 李培咸, 张晓菊, 张金凤, 郑雪峰, 张静, 刘嵘侃, 刘伦才. 基于干/湿法腐蚀的自对准SiGe HBT器件[J]. Journal of Semiconductors, 2005, 26(1): 102-105. ****刘道广, 郝跃, 徐世六, 李开成, 李培咸, 张晓菊, 张金凤, 郑雪峰, 张静, 刘嵘侃, 刘伦才. 2005: 基于干/湿法腐蚀的自对准SiGe HBT器件. Journal of Semiconductors, 26(1): 102-105.
      Citation:
      刘道广, 郝跃, 徐世六, 李开成, 李培咸, 张晓菊, 张金凤, 郑雪峰, 张静, 刘嵘侃, 刘伦才. 基于干/湿法腐蚀的自对准SiGe HBT器件[J]. Journal of Semiconductors, 2005, 26(1): 102-105. ****
      刘道广, 郝跃, 徐世六, 李开成, 李培咸, 张晓菊, 张金凤, 郑雪峰, 张静, 刘嵘侃, 刘伦才. 2005: 基于干/湿法腐蚀的自对准SiGe HBT器件. Journal of Semiconductors, 26(1): 102-105.
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      基于干/湿法腐蚀的自对准SiGe HBT器件

      • Received Date: 2015-08-19

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