Chin. J. Semicond. > 1992, Volume 13 > Issue 9 > 528-538
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不连续类氧化层界面多晶硅发射极晶体管理论模型

魏希文 , 李建军 , 马平西 , 邹赫麟 , 王阳元 , 张利春 and 吉利久

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    Received: 19 August 2015 Revised: Online: Published: 01 September 1992

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      Article Navigation >  Journal of Semiconductors  > 1992  >  13(9): 528-538
      魏希文, 李建军, 马平西, 邹赫麟, 王阳元, 张利春, 吉利久. 不连续类氧化层界面多晶硅发射极晶体管理论模型[J]. 半导体学报(英文版), 1992, 13(9): 528-538.
      Citation:
      魏希文, 李建军, 马平西, 邹赫麟, 王阳元, 张利春, 吉利久. 不连续类氧化层界面多晶硅发射极晶体管理论模型[J]. 半导体学报(英文版), 1992, 13(9): 528-538.
      shu

      • Received Date: 2015-08-19

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