Chin. J. Semicond. > Volume 18 > Issue 2 > Article Number: 151

退火处理对透明导电CdIn_2O_4薄膜光学、电学性质及其能带结构的影响

吴彬 , 王万录 , 廖克俊 and 张振刚

+ Author Affiliations + Find other works by these authors

PDF

Abstract: 报道了射频反应溅射制备的CdIn2O4薄膜(简称CIO膜)的光学、电学性质以及能带结构与退火处理的关系,包括透射率、折射率、消光系数和薄膜载流于浓度的讨论.研究发现退火处理能引起CIO薄膜透射率、光隙能的增加以及折射率、消光系数的减小,并且使膜的短波吸收边“蓝移”.另外还能明显地提高膜的电导率.文中根据退火处理引起氧空位增加、电子陷阱减小等效应以及薄膜的能带结构和晶格拓展的理论分析讨论了实验所得结果.

Search

Advanced Search >>

Article Metrics

Article views: 1379 Times PDF downloads: 1157 Times Cited by: 0 Times

History

Manuscript received: 19 August 2015 Manuscript revised: Online: Published: 01 February 1997

Email This Article

User name:
Email:*请输入正确邮箱
Code:*验证码错误