Chin. J. Semicond. > Volume 18 > Issue 8 > Article Number: 603

红外区熔再结晶SOI GE_XSi_(1-X)合金沟道P-MOSFET的研究

付军 , 栾洪发 , 田立林 , 钱佩信 and 周均铭

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Abstract: 在红外区熔再结晶SOI材料上用MBE的方法形成Si/GexSi1-x/Si量子阱结构.在此基础上,采用常规的P-MOS工艺制造出了SOIGexSi1-x合金沟道P-MOSFET.为避免GexSi1-x合金材料发生蜕化,MBE以后除快速热退火(RTA)以外的所有工艺温度都不超过800℃.直流特性的测量结果表明,与普通Si沟道器件相比,GexSi1-x合金沟道器件的沟道载流子迁移率有所提高.而且,这种器件在性能的进一步提高方面存在着相当大的潜力.

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Manuscript received: 19 August 2015 Manuscript revised: Online: Published: 01 August 1997

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