Chin. J. Semicond. > Volume 15 > Issue 5 > Article Number: 322

EL2光淬灭过程中光电导增强现象原因新探

徐波,王占国,万寿科,孙红,张辉,杨锡权,林兰英

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Abstract: 本文用光电导的实验方法对LECSI-GaAs单晶中EL2能级的光淬灭过程进行了研究.通过对实验结果的分析,提出了一种解释EL2淬灭过程中EPC现象起因的模型:光照前因补偿受主而已经电离的一部分EL2中心在近红外光照射下可通过从价带和其它深能级得到电子而被淬灭,使材料的费米能级下降,在价带中留下大量寿命很长的空穴,使光电导出现再上升.我们还发现EPC的饱和值与材料的电子补偿度及热稳定性有一定的联系.

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Manuscript received: 18 August 2015 Manuscript revised: Online: Published: 01 May 1994

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