Chin. J. Semicond. > Volume 14 > Issue 11 > Article Number: 670

掩埋结构激光器的生长研究

杨国文 , 肖建伟 , 徐遵图 , 徐俊英 , 张敬明 and 陈良惠

+ Author Affiliations + Find other works by these authors

PDF

Abstract: 本文对GaAs/GaAlAs系掩埋结构的外延生长工艺进行了十分细致的研究,并就生长特性和生长形貌等作了较全面的分析。将此外延生长技术运用于体材料结构或量子阱结构的一次外延片,均获得了具有极低阈值,性能优越的半导体激光器件。

Search

Advanced Search >>

Article Metrics

Article views: 1569 Times PDF downloads: 1196 Times Cited by: 0 Times

History

Manuscript received: 20 August 2015 Manuscript revised: Online: Published: 01 November 1993

Email This Article

User name:
Email:*请输入正确邮箱
Code:*验证码错误