杨国文 , 肖建伟 , 徐遵图 , 徐俊英 , 张敬明 and 陈良惠
Abstract: 本文对GaAs/GaAlAs系掩埋结构的外延生长工艺进行了十分细致的研究,并就生长特性和生长形貌等作了较全面的分析。将此外延生长技术运用于体材料结构或量子阱结构的一次外延片,均获得了具有极低阈值,性能优越的半导体激光器件。
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Manuscript received: 20 August 2015 Manuscript revised: Online: Published: 01 November 1993
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