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Volume 14, Issue 11, Nov 1993

    CONTENTS

  • 光电流瞬态谱中半绝缘砷化镓的EL2峰的研究

    龚大卫, 孙恒慧

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(11): 659

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    本文用加栅的光电流瞬态谱(PICTS)方法研究了半绝缘砷化镓材料中的深能级缺陷,发现加栅后可使PICTS对EL2等靠近禁带中央的缺陷变得灵敏,并分析了其中原因,认为材料中费米能级位置对PICTS结果有影响。

  • 在微晶硅薄膜中替代式硼杂质的非受主态行为

    蒋翔六, 何宇亮, 朱洪亮

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(11): 664

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    已知,在使用PECVD法沉积的硅薄膜中,掺硼所能获得的最高室温电导率要比在同样沉积条件下掺磷硅膜低一个数量级。我们用SIMS及声表面波技术测得,氢化硅膜中起受主作用的活性硼原子在其总掺硼量中仅占0.7%,而绝大部份掺入的硼原子是非活性的。这是由于氢化硅薄膜网络结构中的氢填补了未饱和的B—Si键,使之形成中性的B—H—Si复合体所致。使用低能电子束流辐照掺硼样品,引起退氢化作用,从而使大量的B—H—Si中性复合体转变成活性的B—Si键,能使其电导率提高一个数量级,达到与掺磷硅膜同一水准。

  • 掩埋结构激光器的生长研究

    杨国文, 肖建伟, 徐遵图, 徐俊英, 张敬明, 陈良惠

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(11): 670

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    本文对GaAs/GaAlAs系掩埋结构的外延生长工艺进行了十分细致的研究,并就生长特性和生长形貌等作了较全面的分析。将此外延生长技术运用于体材料结构或量子阱结构的一次外延片,均获得了具有极低阈值,性能优越的半导体激光器件。

  • 双单量子阱材料的调制光谱研究

    章灵军, 沈学础, 王太宏

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(11): 676

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    本文采用光调制光谱方法测量了GaAs/Ga_(1-x)Al_xAs双单量子阱材料的光调制反射光谱(PR),同时观察到了二个单量子阱中的带间激子跃迁,采用电场调制线形可以拟合出激子跃迁的能量,与简单的有限方势阱模型的计算结果符合。并且由调制反射光谱中的Franz-Keldysh振荡,计算得到材料表面内建电场约为29.3kV/cm。

  • Si/Co/GaAs体系中界面反应的竞争机制

    金高龙, 陈维德, 许振嘉

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(11): 681

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    本文采用AES、XRD和TEM等技术对Si/Co/GaAs三层结构的界面反应作了较详细的研究。结果表明:Si/Co与Co/GaAs两界面的反应具有一定的相似性,即当退火温度低于300℃时,两界面都保持完整;当退火温度高于400℃时,两界面都发生了化学反应,并形成相应的化合相。由于两界面的初始反应条件相近,因而界面反应存在着竞争机制,通过进一步的实验,结果表明;Si/Co界面的反应速度要比Co/GaAs的快,从而为在GaAs衬底上形成CoSi_2/GaAs金半接触提供了有利条件。

  • 一个基于人工神经网络的通孔最少化方法

    沈涛, 甘骏人, 姚林声

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(11): 687

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    本文在布线的相交图模型基础上,利用离散型的Hopfield网络解决了相交图的最大切割问题,从而解决了双层布线的分层及通孔最少化问题。新算法考虑了许多来自实际问题的约束,并对大量的布线实例进行了验证。

  • 在超高真空系统中对硅表面进行电子束退火的L_(23)VV Auger能谱精细结构分析

    卢志恒, 王大椿, 罗晏, 苏颖, R.Pfandzelter

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(11): 695

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    本文首先报道了在清洁的Si(100)表面观察到L_(23)VV的7条Auger精细谱线。经过短时间的电子束退火后又观察到能量为62.8eV和68.1eV两条谱线。前者可以用Si-O系统。L_(23)(Si)L_1(O)O_1(O)的交叉跃迁来解释;后者虽已有报道,但在解释上引起争议。本文根据实验认为它与C在Si表面的吸附有关。

  • 反应溅射TiW_yN_x薄膜扩散势垒特性研究

    张国炳, 武国英, 徐立, 郝一龙, 隋小平, A.P.Clarke, P.J.Clarke, M.D.Strathman, T.Gates, S.Baumann

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(11): 702

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    本文利用XRD、RBS、AES、SEM和电学测量技术系统地研究了反应溅射制备的TiW_yN_x薄膜的组份、结构和扩散势垒特性,实验结果表明,膜的组份、结构和特性受溅射时N_2流量影响和溅射功率的影响,这种TiW_yN_x膜经550℃30分钟退火后,仍能有效防止Al-Si扩散,从而改善了Al/TiW_yN_x/CoSi_2/Si浅结接触的热稳定性。

  • 薄栅SiO_2相关击穿电荷的研究

    许铭真, 谭长华, 王阳元

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(11): 708

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    在恒流应力条件下,用时间相关介质击穿(TDDB)特性,研究了Ar-O_2热生长SiO_2的时间相关击穿的电荷性质。研究结果表明:(1)相关击穿电荷(Q_(BD))不是常数,而是与氧化层电场强度(E_(OX))有关;(2)阳极相关击穿电场(E_(BD))近似为常数;(3)电场加速因子( β)不是常数,它亦不是与E_(OX)~(-2)成正比,而是呈更为复杂的电场依赖关系。

  • 蓝宝石上硅膜(SOS)肖特基结注入电流检测的电子自旋共振及Si/Al_2O_3界面缺陷

    傅济时, 吴恩, 秦国刚, 朱美栋, 郁元桓

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(11): 712

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    我们用高灵敏的肖特基结注入电流检测磁共振方法对蓝宝石上外延硅膜进行了研究。实验观察到一各向同性非对称的磁共振谱,经拟合它由线宽10~(-3)T,g值分别为2.0055及2.012的二线组合而成,二线强度比3.7:1。前者是硅悬挂键,后者为非晶硅价态尾态共振。实验证实该磁共振信号来自于Si/Al_2O_3界面。

  • 优质Al_xGa_(1-x)As/GaAs(x≤0.6)SAM—APD超晶格结构的MBE生长

    林耀望

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(11): 715

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    本文描述了采用Varian GenⅡMBE系统,和VA-175型砷裂解炉,以及5个“9”的铍作p型掺杂剂,严格仔细地控制外延生长过程,成功地制备了优质的Al_xGa_(1-x)As/GaAs(x≤0.6)SAM-APD超晶格结构外延材料。倍增层p-Al_(0.6)Ga_(0.4)As的载流子浓度低达2.3×10~(14)cm~(-3)电子与空穴离化率的比值为25.0。此材料用于制作超晶格雪崩光电探测器,器件性能有显著的提高。在初始光电流I_(po)=100nA下,反向偏压为80伏得到的内部雪崩增益为1900,计算分析最大雪崩倍增因子高达6050。

  • 一种新的亚稳态Mn的制备和结构研究

    朱兴国, 张明, 徐敏, 董国胜, 金晓峰

    Chin. J. Semicond.  1993, 14(11): 718

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    本文利用反射式高能电子衍射,对于Mn在GaAs(001)清洁表面上的分子束外延进行了研究,第一次从实验上直接观察到Mn的一种新的亚稳态,即γ-Mn(面心立方结构)。实验还发现,在靠近GaAs界面处的外延层中,晶格常数在平面内约有5%的膨胀,这一晶格畸变随着与界面距离的增大而逐步减少。

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