一种新的SOI制备技术:H~+离子注入、键合和分离

竺士场 , 张苗 , 林成鲁 , 黄宜平 , 吴东平 and 李金华

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Abstract: H＋离子注入Si片并经一定条件退火，可在Si片中形成埋层微空腔（microcavity）层，结合Si片键合技术，用智能剥离（Smart－cut）技术成功地制备了Unibond－SOI材料，并用扩展电阻（SRP）、卢瑟福背散射（RBS／C）和剖面透射电子显微镜（XTEM）等初步分析了其结构和电学性质．