Chin. J. Semicond. > Volume 16 > Issue 6 > Article Number: 443

多晶硅发射区晶体管的解析模型

马平西,张利春,赵宝瑛,王阳元

+ Author Affiliations + Find other works by these authors

PDF

Abstract: 在包括了更多的物理效应基础上,本文提出了一个新的多晶硅发射区晶体管的解析模型.把物理参数分为与多晶/单晶硅界面有关的界面物理参数和与纵向结构有关的纵向结构参数,建立了载流子传输机理的特征符号表示系统,给出了晶体管重要特性参数的解析表达式.应用这个模型详细分析了电流增益与两类物理参数之间的关系,并与部分实验结果进行了比较,得到了有关改善RCA器件,HF器件和界面氧化层大面积破裂器件的电流增益的结论.

Search

Advanced Search >>

Article Metrics

Article views: 1601 Times PDF downloads: 1115 Times Cited by: 0 Times

History

Manuscript received: 19 August 2015 Manuscript revised: Online: Published: 01 June 1995

Email This Article

User name:
Email:*请输入正确邮箱
Code:*验证码错误