Abstract: 在包括了更多的物理效应基础上,本文提出了一个新的多晶硅发射区晶体管的解析模型.把物理参数分为与多晶/单晶硅界面有关的界面物理参数和与纵向结构有关的纵向结构参数,建立了载流子传输机理的特征符号表示系统,给出了晶体管重要特性参数的解析表达式.应用这个模型详细分析了电流增益与两类物理参数之间的关系,并与部分实验结果进行了比较,得到了有关改善RCA器件,HF器件和界面氧化层大面积破裂器件的电流增益的结论.
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Manuscript received: 19 August 2015 Manuscript revised: Online: Published: 01 June 1995
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