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本文利用电解液电反射谱研究了Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ａｓ／ＧａＡｓ短周期超晶格中微带电子态随电场的演化过程，不仅清楚地观察到弱场Ｆｒａｎｚ－Ｋｅｌｄｙｓｈ效应和强场Ｗａｎｎｉｅｒ－Ｓｔａｒｋ局域化效应，而且观察到了从弱场过渡到强场过程中Ｆｒａｎｚ－Ｋｅｌｄｙｓｈ效应和Ｗａｎｎｉｅｒ－Ｓｔａｒｋ局域化效应互相竞争的现象．

本文在４．２Ｋ下获得了Ｐ－型ＨｇＣｄＴｅ反型层有两个子能带被占据时的电容谱．基于多个子带被占据的非量子限情形，提出了一个实验模型．用该模型对实验结果进行了拟合，获得了反型层基态及激发态子能带结构，包括基态子能带能量、第一激发态子能带能量、费米能级、耗尽层厚度、反型层平均厚度以及它们随反型层电子浓度的变化关系．

本文对ＭＯＣＶＤ生长Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ进行了热力学分析．所用的起始原材料为Ｈｇ、ＤＭ－Ｃｄ和Ｒ２Ｔｅ．计算结果一方面表明ＣｄＴｅ优先并入倾向使得在通常的ＤＡＧ工艺中ｘ值非常不易控制．另一方面表明即使在Ｈｇ存在的情况下，也可以沉积几乎纯的ＣｄＴｅ，这对实现ＩＭＰ工艺非常有利，计算结果还表明ＩＩ／ＶＩ比对ＨｇＣｄＴｅ的组分控制起着关键性的作用．在ＤＡＧ工艺中，较低的ＩＩ／ＶＩ比可以改善对ｘ值的控制能力，ＬＭＰ－ＤＡＧ工艺是降低ＩＩ／ＶＩ比的较好途径．本文还计算了生长温度和反应室压力对固相组分的影响以及ＬＭＰ

本文通过计算比较了分别采用普通折射率耦合型（ＩＣ）、λ／４相移折射率耦合型（ＱＷＳ）及增益耦合型（ＧＣ）ＤＦＢ激光器作为光源部分的激光器／调制器光子集成器件的单模选择能力、调制频移及单端光输出功率等特性，在该类型集成器件的特性分析中考虑了端面反射率任意相位的影响并对此进行了统计分析．ＧＣ型器件的调制频移特性与ＩＣ及ＱＷＳ型器件基本相同，而ＧＣ型器件的单模选择能力比ＩＣ和ＱＷＳ型器件高得多，特别在ＨＲ－ＡＲ镀膜情况下，单端光输出效率大为提高，且考虑到ＧＣ型器件无需在光栅制作中引入相移带来的制作工艺上的简化

程控解码器是植入式程控生理型（ＤＤＤ）心脏起搏器的重要单元．本文详细报告它的工作原理、逻辑设计、单片集成和测试结果．集成的程控解码器具有的保险措施和电源检测能力，能执行设计的三类指令．芯片面积为３．７×４．３ｍｍ２，有等效门９００多，工作电流小于１．６μＡ．

对于ＧａＡｓ／Ｓｉ材料由于晶格失配和热膨胀系数失配，外延时必然会出现大量的失配位错等缺陷进入外延层，为了更有效地消除或减弱由于以上二种失配所引入的失配位错等缺陷，本文采用高温快速热退火的方法，结合表面光伏（ＳＰＶ），微波光电导谱（ＭＰＣＳ），双晶衍射（ＤＣＲＤ）等测试手段在整个高温热退火区域寻求一个对具有一定ＧａＡｓ层厚度的ＧａＡｓ／Ｓｉ材料最佳热退火温度Ｔｏ，经此温度Ｔｏ快速热退火后，由ＳＰＶ，ＭＰＣＳ所测得的ＧａＡｓ外延层少子扩散长度Ｌｐ数值达最大，ＤＣＲＤ所测得双晶衍射半峰竞也明显变窄，各项指标均有

研制出ａ－Ｓｉ：Ｈｐｉｎ型Ｘ－射线间接探测线阵，它探测的是Ｘ－射线在闪光体（Ｃｓｌ）所激发的荧光，制备出单元面积分别为２．５×２．５ｍｍ２、１．６×１．６ｍｍ２和１００×１００μｍ２的１６、２５、３２０单元的线阵．器件的暗电流达到１e－１２Ａ／ｍｍ２（－１０ｍＶ），光灵敏度～０．３５μＡ／μＷ（６００ｎｍ）．本文报道了Ｘ－射线探测阵列的制备及测试结果．

在包括了更多的物理效应基础上，本文提出了一个新的多晶硅发射区晶体管的解析模型．把物理参数分为与多晶／单晶硅界面有关的界面物理参数和与纵向结构有关的纵向结构参数，建立了载流子传输机理的特征符号表示系统，给出了晶体管重要特性参数的解析表达式．应用这个模型详细分析了电流增益与两类物理参数之间的关系，并与部分实验结果进行了比较，得到了有关改善ＲＣＡ器件，ＨＦ器件和界面氧化层大面积破裂器件的电流增益的结论．

采用Ｐ阱ＣＭＯＳ工艺制作了一种全对称、电流型的多端ＭＡＸ门和ＭＩＮ门电路．实验结果表明，ＭＡＸ门的输出相对最大输入电流的偏差较小，最大偏差为５μＡ；ＭＩＮ门的输出相对最小输入电流的偏差略大于ＭＡＸ门，最大偏差约为１３μＡ．但ＭＡＸ门和ＭＩＮ门都有较高的分辨精度，都在５μＡ以内．因此，这种多端的电流型ＭＡＸ（ＭＩＮ）门电路特别适合于在模糊逻辑系统中应用．提出并制作了一种结构简单、效果很好的非线性Ｉ－Ｖ转换电路，可用于将以电流值方式表示的最大输出信号转变为以数字电平表示．

数据流图（ＤＦＧ）是数字系统行为描述的一种图形表示方式．实验证明，ＤＦＧ内部结构对硬件结构实现有很大影响．本文介绍的时序重构和结合关系重构被用来在不改变ＤＦＧ外部功能的前提下对ＤＦＧ的内部结构进行改造，使之更有可能在结构自动综合中构造出性能最优、造价最小的硬件结构．文中首先定义两种重构技术的意义，讨论它们在ＤＦＧ优化中的应用，然后提出一个新颖的优化算法．

用热丝协助化学气相沉积法，用Ｂ２Ｏ３作掺杂剂，用丙酮作碳源，成功地合成了硼掺杂半导体金刚石薄膜．本文报道了未掺杂和硼掺杂金刚石膜红外光谱的研究结果．实验结果表明：在０．３０８ｅＶ和０．３４１ｅＶ处产生的吸收是由于金刚石膜中硼原子的基态到第一、第二激发态的跃迁引起的．这个结果证实了硼原子在金刚石膜中以替位方式存在．

杂质锗对ＣＺ－Ｓｉ性能的影响张维连，刘彩池，王志军，冀志江（河北工学院材料研究中心天津３００１３０）摘要ＣＺ－Ｓｉ中掺入等价元素Ｇｅ后能有效地抑制氧施主的形成速率和降低氧施主最大浓度，提高硅片的机械强度．对其机理进行了简要的探讨．ＰＡＣＣ：８１４０，...

用电子自旋共振（ＥＳＲ）方法研究了含纳米晶粒：ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜的缺陷态．这种薄膜是用等离子体增强ＣＶＤ方法制备而成，未经任何后处理过程，在室温观察到可见光范围的光致发光．薄膜的ＥＳＲ谱由三个部分组成：（１）一对轴向对称超精细谱线，其ｇ∥＝１．９９６７，ｇ⊥＝２．００１６，其超精细常数为１．２×１０－２Ｔ；（２）一条各向同性谱线，其ｇ＝２．００５２．线宽△Ｈｐｐ＝１×１０－３Ｔ；（３）一条轴向对称谱线，其ｇ∥＝２．００５７，ｇ⊥＝２．００４２．以上三部分分别来源于三个不同的顺磁中心本文分析了它们的产生，