Chin. J. Semicond. > Volume 14 > Issue 11 > Article Number: 681

Si/Co/GaAs体系中界面反应的竞争机制

金高龙 , 陈维德 and 许振嘉

+ Author Affiliations + Find other works by these authors

PDF

Abstract: 本文采用AES、XRD和TEM等技术对Si/Co/GaAs三层结构的界面反应作了较详细的研究。结果表明:Si/Co与Co/GaAs两界面的反应具有一定的相似性,即当退火温度低于300℃时,两界面都保持完整;当退火温度高于400℃时,两界面都发生了化学反应,并形成相应的化合相。由于两界面的初始反应条件相近,因而界面反应存在着竞争机制,通过进一步的实验,结果表明;Si/Co界面的反应速度要比Co/GaAs的快,从而为在GaAs衬底上形成CoSi_2/GaAs金半接触提供了有利条件。

Search

Advanced Search >>

Article Metrics

Article views: 1335 Times PDF downloads: 849 Times Cited by: 0 Times

History

Manuscript received: 20 August 2015 Manuscript revised: Online: Published: 01 November 1993

Email This Article

User name:
Email:*请输入正确邮箱
Code:*验证码错误