Chin. J. Semicond. > Volume 18 > Issue 6 > Article Number: 417

纳米晶Ge颗料镶嵌SiO_2复合膜的多峰光致发光及其机理

许怀哲 , 朱美芳 , 侯伯元 , 陈光华 , 马智训 and 陈培毅

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Abstract: 用射频(RF)共溅射和热退火处理的方法制备了纳米锗颗粒镶嵌SiO2复合薄膜(nc-Ge/SiO2),观察到了多峰的光致发光现象,发现随着激发光波长的增长,多峰发光谱的最强峰向低能方向移动,但是各子峰的位置不发生改变,而且不同样品的发光谱子峰位置非常一致.X射线光电子能谱(XPS)分析显示膜中不存在纳米晶硅成分,表明多峰光致发光与镶嵌在SiO2复合中的纳米锗颗粒有关。

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Manuscript received: 19 August 2015 Manuscript revised: Online: Published: 01 June 1997

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