Chin. J. Semicond. > Volume 18 > Issue 7 > Article Number: 550

自组织生长多层垂直耦合InAs量子点的研究

王志明 , 邓元明 , 封松林 , 吕振东 , 陈宗圭 , 王凤莲 , 徐仲英 , 郑厚植 , 高旻 , 韩培德 and 段晓峰

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Abstract: 本文报道了关于InAs/GaAs自组织生长多层垂直耦合量子点的研究结果.透射电子显微镜测量显示多层量子点在生长方向上成串排列,有些量子串会发生融和.还有些量子串生长不完全,也就是说包含的量子点个数少于InAs层数,并由此导致多层耦含量子点的光致发光谱具有高能带尾.

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Manuscript received: 19 August 2015 Manuscript revised: Online: Published: 01 July 1997

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