Chin. J. Semicond. > Volume 13 > Issue 11 > Article Number: 683

纳米硅薄膜结构分析

何宇亮 , 殷晨钟 , 程光煦 , 王路春 and 李齐

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Abstract: 在常用的PECVD电容式耦合沉积系统中,使用高氢稀释硅烷为反应气氛,在r.f.+DC双重功率源激励下制备出具有纳米相结构的硅薄膜.使用HREM,Raman光散射,X射线衍射以及红外和紫外光谱分析手段广泛地检测了其结构特征.指出,纳米硅(nc-Si:H)薄膜由于具有一系列新的结构特征使它脱颖于熟知的 a-Si:H及 μc-Si:H范畴,从而显示出它自己的独特性能.

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Manuscript received: 19 August 2015 Manuscript revised: Online: Published: 01 November 1992

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