Chin. J. Semicond. > Volume 11 > Issue 3 > Article Number: 202

GaAs/GaAlAs单量子阱电光吸收和光调制

朱龙德 , 能飞克 , 王启明 , 陈正豪 , 谢苑林 and 顾世杰

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Abstract: 制作并研究了GaAs/GaAlAs分别限制单量子阱台面条形单模波导电致吸收光调制器。量子阱宽度为100A,长度为700μm的器件,当传输光波长为8650A时TE偏振最大调制深度(开关比)为29.7dB,插入损耗吸收分量为3dB;TM偏振最大调制深度为28.5dB。用2V电压幅度可以得到15dB的开关比。光电导谱的测量表明,偏压从+0.5V变到-7V时吸收边的红移为600A,即量子阱中室温激子的共振吸收峰移动了96meV。单阱高场条件下首次观察到了导带第二能级电子和价带第一能级空穴间激子的共振吸收线的出现,增强和移动。

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Manuscript received: 19 August 2015 Manuscript revised: Online: Published: 01 March 1990

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