Chin. J. Semicond. > Volume 11 > Issue 3 > Article Number: 193

TEA CO_2激光诱发SiH_4等离子体发光动力学研究

傅广生 , 董丽芳 , 李晓苇 , 韩理 , 张连水 and 吕福润

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Abstract: 本工作采用时间分辨的OES技术,研究了TEA CO_2激光诱发SiH_4等离子体过程。探测到了Si,Si~+,Si~(2+),SiH~+,SiH,Si_2和H,并测量了它们的时间演变过程;实验还研究了OES随样品气压和激光能量的变化;探讨了SiH_4的分解及其碎片之间的反应过程,提出SiH_4的主要分解通道为产生Si的通道。本工作对SiH_4 LPCVD动力学研究有重要意义,对低温等离子体研究也有一定参考价值。

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Manuscript received: 19 August 2015 Manuscript revised: Online: Published: 01 March 1990

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