Chin. J. Semicond. > Volume 16 > Issue 6 > Article Number: 413

MOCVD生长的Ⅱ-Ⅵ族化合物固溶体组分的热力学分析2.Hg_(1-x)Cd_xTe体系

陆大成,段树坤

+ Author Affiliations + Find other works by these authors

PDF

Abstract: 本文对MOCVD生长Hg1-xCdxTe进行了热力学分析.所用的起始原材料为Hg、DM-Cd和R2Te.计算结果一方面表明CdTe优先并入倾向使得在通常的DAG工艺中x值非常不易控制.另一方面表明即使在Hg存在的情况下,也可以沉积几乎纯的CdTe,这对实现IMP工艺非常有利,计算结果还表明II/VI比对HgCdTe的组分控制起着关键性的作用.在DAG工艺中,较低的II/VI比可以改善对x值的控制能力,LMP-DAG工艺是降低II/VI比的较好途径.本文还计算了生长温度和反应室压力对固相组分的影响以及LMP

Search

Advanced Search >>

Article Metrics

Article views: 1394 Times PDF downloads: 1125 Times Cited by: 0 Times

History

Manuscript received: 19 August 2015 Manuscript revised: Online: Published: 01 June 1995

Email This Article

User name:
Email:*请输入正确邮箱
Code:*验证码错误