Chin. J. Semicond. > Volume 10 > Issue 12 > Article Number: 924

Pd/a-Si:H界面的光电子能谱研究

赵特秀 , 沈波 , 刘洪图 , 季明荣 , 吴建新 and 许振嘉

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Abstract: 本文利用光电子能谱(XPS、UPS)技术研究了Pd淀积层与离子注入制备的a-Si∶H层组成的系统.本工作分析了Pd/a-Si∶H的界面键合状态及组分分布的变化对价带谱与芯能级谱的影响,并与Pd/C-Si系统的结果进行了比较.结果表明:Pd/a-Si∶H界面具有与Pd/C-Si界面相似的电子结构;但是,Pd原子在a-Si∶H中具有较大的扩散速率,因此,处于更富Si的环境中。

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Manuscript received: 19 August 2015 Manuscript revised: Online: Published: 01 December 1989

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