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Volume 10, Issue 12, Dec 1989
Table of Content
CONTENTS
InPδ掺杂的输运特性
程文超, A.Zrenner, 叶秋怡, F.Koch
Chin. J. Semicond.  1989, 10(12): 885-891
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折射率缓变波导层分别限制单量子阱半导体激光器的模式分析
郭长志, 陈水莲
Chin. J. Semicond.  1989, 10(12): 892-903
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新生界面陷阱对Fowler-Nordheim电压漂移的影响
谭长华, 许铭真, 王阳元
Chin. J. Semicond.  1989, 10(12): 904-911
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热退火对分子束外延生长的高纯GaAs薄膜中深能级的影响
徐鸿达, T.G.Andersson
Chin. J. Semicond.  1989, 10(12): 912-916
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LEC GaAs中缺陷的光致发光研究
陈廷杰, 吴灵犀, 王占国, 何宏家, 林兰英
Chin. J. Semicond.  1989, 10(12): 917-923
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Pd/a-Si:H界面的光电子能谱研究
赵特秀, 沈波, 刘洪图, 季明荣, 吴建新, 许振嘉
Chin. J. Semicond.  1989, 10(12): 924-929
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半导体3-D磁敏器件的设计与分析
刘亿, 赖宗声
Chin. J. Semicond.  1989, 10(12): 930-935
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具有单元自动生成的多元胞布图方法
蒋君伟, 唐璞山
Chin. J. Semicond.  1989, 10(12): 936-944
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高纯气体中痕量金属杂质的测定
崔仙航, 徐学敏, 严性天, 郎文卉
Chin. J. Semicond.  1989, 10(12): 945-951
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硅中Mo-B络合物的电荷分布
吴汲安, 周洁, 张大仁
Chin. J. Semicond.  1989, 10(12): 952-954
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重掺Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体载流子浓度的光测法研究
徐谨民, 邵丽影, 吴敏
Chin. J. Semicond.  1989, 10(12): 955-959
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硅衬底上GaAlAs/GaAs单量子阱激光器
庄婉如, 石志文, 杨培生, 梅野正義, 神保孝志, 曾我哲夫
Chin. J. Semicond.  1989, 10(12): 960-964
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