808nm GaAs/AlGaAs大功率半导体激光器波长的影响因素及控制

朱东海 , 梁基本 , 徐波 , 朱战萍 , 张隽 , 龚谦 , 李胜英 and 王占国

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Abstract: 通过对影响GaAs／AlGaAs激光器波长的各种因素的分析讨论与实验研究，制备了性能优良的808umGaAs／AlGaAs大功率激光器材料．应用此材料制作的激光器的结果表明，器件室温连续输出功率1W时，激射波长仍可保持在808nm附近，器件的室温连续输出功率已达2.3W．