Chin. J. Semicond. > Volume 14 > Issue 1 > Article Number: 43

p型含氮CZ—Si单晶的退火性质

陈畅生 , 曾繁清 , 曾瑞 , 陈炳若 , 龙理 , 何民才 , 张锦心 and 李立本

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Abstract: 本文报道了在不同热处理条件下P型含氮CZ-Si单晶材料的退火性质。实验表明:400℃及1100℃温度的退火处理都会在含氮CZ-Si单晶中产生新的施主态。400℃退火时产生的施主态会在高温(T>600℃)退火时迅速消灭,它与单晶中N-O复合体的生成和生长机制有关;1100℃退火时产生的施主态则与材料中的氮沉淀有关。

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Manuscript received: 20 August 2015 Manuscript revised: Online: Published: 01 January 1993

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